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  DRAM產業進入寡占結構後,市場從去年開始進入全面獲利的狀況。全球市場研究機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示,2014年第1季DRAM產值再度攀升至99.4億美元,較上季成長2%,已逼近百億美元規模。而各DRAM廠獲利穩定成長,普遍來看均創3年來新高。
  今年第1季DRAM產值再度攀升至99.4億美元,逼近百億美元規模。三大DRAM廠中,韓國SK海力士(SK Hynix)自無錫廠火災後浴火重生,表現最為亮眼,而其它廠商也都有不錯的表現,堪稱DRAM產業狀況極佳的一年,預估2014年DRAM產值可望來到455億美元,較2013年成長30%。
  由各DRAM廠的營運情況來看,龍頭大廠三星算是最早進入25奈米製程的DRAM廠,現階段良率已進入成熟階段,今年上半年產出可望突破 50%,下一代23奈米甚至21奈米製程接近開發完成,有機會於下半年開始導入量產。受到第1季DRAM均價下降影響,營收較上季衰退7%,但由於成本結構領先同業,第1季的三星半導體營業利益仍成長至21 %。
  第2大廠SK海力士今年第1季無錫廠已完全恢復商轉,新購機台亦順勢從38奈米提升至29奈米製程,加上第4季因火災導致基期較低的關係,第1季營收大幅成長近21%,營業利益率來到28%,而近期正式投片量產25奈米製程,下半年將逐步提昇產出量。
  第3大廠美光仍以穩健的經營方式固守DRAM市場,營收雖維持持平,但因產品比重調整關係,獲利依然成長當中,營業利益率約在21%,現階段技術方面仍以30奈米製程為主。原爾必達廠將在下半年大幅轉進25奈米製程,原採用美光技術的工廠則在第4季直接導入20奈米製程試產,量產時間點將落在明年上半年,產品規劃上將著重於行動式記憶體及伺服器用記憶體等毛利較高的產品。
  在台灣廠商部份,南科轉型為生產利基型記憶體為主的DRAM廠後,仍有部份產能生產標準型記憶體,在第1季獲利上有著不錯的表現,雖然營收下滑8%,整體營業利益大幅攀升至34%。
  華邦電受惠於利基型記憶體與小容量行動式記憶體銷售暢旺,整體營收較上季成長6.2%,今年更將擴大資本支出,除了投片提升至4萬片外,46奈米製程的轉進也是重點,生產成本降低讓營業利益成長至 25%。
  力晶科技第1季DRAM營收較上季成長42%,其主因來自於P1+P2廠日前移入一台浸潤式機台,挪移部份產能生產標準型記憶體所致,未來將視市場狀況機動調整代工與標準型記憶體的生產比重。<擷錄工商>

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  雖然4月DRAM現貨價因供給吃緊而上漲,但合約價仍未見到上漲行情,因此DRAM廠南科(2408)、華亞科(3474)的4月營收意外較3月衰退,主要是受到出貨量減少影響。
  至於華邦電(2344)則因為出貨增加且子公司新唐(4919)營收成長,4月營收月增6.3%達31.7億元,改寫35個月來新高。
  受到韓系DRAM廠製程不順,導致市場供不應求,4Gb DDR3晶片現貨價格自4月中旬的3.67美元,上漲至5月初的3.96美元,漲幅達7.9%,4月合約價走勢則持平開出,4GB DDR3模組均價維持在30.5美元,折算晶片價格約在3.5~3.6美元左右。
  由於4月DRAM合約價格未跟隨現貨價格上漲,南科4月因出貨量下降,營收月減2.2%達36.87億元,較去年同期也減少23.2%。華亞科4 月同樣因出貨量減少,營收64.62億元,較3月下滑7.5%,但較去年同期仍大幅成長87.6%。
  華邦電受惠於利基型DRAM出貨增加,以及新唐4月營收月增13.5%達6.21億元,昨日公告包括新唐在內的合併營收達31.7億元,月增率達6.3%,較去年同期亦成長5.8%,改寫35個月來新高。
  集邦科技表示,從需求面分析,隨著微軟終正Windows XP更新,第 2季筆記型電腦市場淡季不淡,全球筆電出貨呈現3.4%的季成長,其中前八大OEM品牌出貨成長更高達7.3%。
  另一方面,OEM廠也試圖尋找新藍海,如Google主導的Chromebook ,標榜著低價與雲端應用的結合,主打輕應用的商務市場與教育市場,尤其以三星與宏碁最為積極。Chromebook的興起,創造出有別於原先筆電市場之外的新需求,導致DRAM整體產能可能更加吃緊。
  隨著DRAM產業的寡占市場架構形成,劇烈的削價競爭已不復見。集邦科技預估今年DRAM市況將延續去年的高成長態勢,再現另一波總產值高峰。 <擷錄工商>

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  市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示,PC市場第2季淡季不淡,DRAM供需轉趨健康,迎向下半年旺季,4月下旬合約價持平開出。在NAND Flash部份,供應商為了避免利潤被壓縮,不再願意降價來刺激銷售,4月下旬NAND Flash合約價也是持平開出,業者期待6月OEM廠拉貨潮啟動後,將改善市況供過於求壓力。
  DRAM市場今年起呈現交投清淡的走勢,無論現貨商或模組廠多維持較低的庫存水位,大廠逐步將產能從標準型記憶體轉向行動式記憶體,供貨吃緊讓現貨市場底部價格確立。其中4Gb DDR3顆粒價格從4月中的3.67美元,至5月初上漲至3.96美元,漲幅達7.9%,牽動合約價格走勢,4月下旬合約價持平開出,均價維持在30.5美元。
  集邦科技表示,三星去年將產出比重都放置在行動式記憶體上,目標標準型記憶體供貨多以OEM 廠為主;而SK海力士則調整產品比重,拉高行動式記憶體並降低標準型記憶體的產出量。美光新加坡Tech廠全數轉進NAND Flash產品,與台灣美光增加行動式記憶體的產出,讓後續合約價已呈現欲跌不易的市場氛圍,力守下半年30美元關卡可能性高。
  在NAND Flash市場部份,模組廠對後市銷售表現看法保守,加上記憶卡和隨身碟零售價格持續下跌,中國五一假期前的拉貨動能呈現低迷的情況。近期NAND Flash供應商為了避免利潤被壓縮,在價格談判態度轉趨強硬,不再願意降價來刺激銷售,在交易清淡的市況下,4 月下旬NAND Flash顆粒合約價持平開出。
  從需求端的變化來觀察,隨著新款iPhone 6與各家廠牌新機種可望於第3季陸續上市,在中國4G LTE智慧型手機潮帶動下,今年下半年智慧型手機的出貨量將較今年上半年成長接近20%。
  在平板電腦方面,第3季起除了新款iPad將問世外,其他廠牌高中低階的2014年新機種也多規畫在開學潮與中國十一長假前來搶攻市場,因此下半年平板電腦的出貨量更可較上半年成長約40%,顯示今年在經濟狀況持穩之際,多數業者也對於下半年的旺季效應有明顯的企圖心。
  第3季行動裝置新機種上市潮將帶動eMMC與eMCP等相關嵌入式NAND Flash產品的需求自第2季季末開始加溫,有望改善NAND Flash市況供過於求的情形。 <擷錄工商>

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