半導體下半年景氣出現雜音,但各晶圓廠在先進製程持續投入研發,對專精於材料分析及IC電路修補的汎銓科技(MSS)而言,對未來樂觀看待。以目前狀況,全年營收不僅將呈二位數增長,甚至可望出現逾30% 的佳績。
  機台最先進
  獲客戶信賴
  在16奈米以下製程技術的材料分析與IC電路修補,技術門檻之高不難想見,汎銓總經理柳紀綸表示,汎銓擁有最優秀的工程團隊,穩定度與經驗累積領先同業,機台也最先進;「以最好的技術、設備及服務來滿足客戶需求的經營定位,獲得客戶信賴。」
  汎銓以全面服務來滿足客戶需求,今年資本支出仍超過一億元,是國內業界唯一同時擁有日系及歐美系TEM設備的專業分析服務公司。
  材料分析主管周學良表示,半導體製程研發腳步演進微縮至20╱16╱10nm,元件尺寸不斷變小,電晶體從平面式轉變到3D,使得TEM穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscopy)試片製備難度越來越高,TEM試片厚度需小於15nm以下。
  汎銓不斷提升TEM試片製備能力及強化TEM成份(元素)分析能力,TEM試片厚度製備能力已達15奈米以下,是先進製程開發的最佳後盾。他表示,以去年引進FEI OSIRIS TEM為例,配備四個對稱的EDS SDD(Silicon drift detectors)偵測器,取得更低的元素偵測極限、更佳的mapping及 linescan空間解析度,以及更好mapping的訊噪比,並提供更穩定的元素半定量分析,為國內先進製程客戶在TEM EDS成分分析唯一認可的平台。
  IC電路修補
  良率大躍進
  IC電路修補主管李基榮表示,為提供IC設計大廠在尖端IC電路修補的技術支援,2013年底汎銓率先引進最先進的聚焦離子束機台FEI V400ACE,工程人員以熟練的IC電路修補技術,有能力切斷或連接28╱20╱16nm製程IC至最深層極小Ml導線。
  他表示,尖端28╱20╱16nm IC電路的修補技術有二大挑戰:線寬尺寸小與介電層(IMD╱ILD, inter metal dielectric╱inter layer dielectric)結構與材料脆弱。因應線寬尺寸小,需要高精密定位與取得清楚的操作影像;介電層結構與材料脆弱,離子束蝕刻或沈積都容易造成打擊損傷,造成元件特性改變或阻抗改變,IC無法正常運作。
  汎銓具備豐富經驗,輔以先進設備,如虎添翼,多次成功完成客戶原以為無法修補的案件,良率大幅上升,有效縮短IC設計debug時間,贏得好評。
  柳紀綸指出,維持員工士氣與穩定性,才能在技術專業領先同業,贏得客戶滿意度,為汎銓永續經營的不二法門;在開發材料分析及IC電路修補新世代製程分析技術時,更率先投資最先進機台。汎銓對於「員工高向心力、高穩定性、離職率低於同業、機密資訊管控獲國內大廠肯定」相當自豪;人員經驗累積與技術傳承是不變的策略,為汎銓主要的競爭優勢。<�摘錄經濟>

hm643818 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()