今年以來固態硬碟(SSD)價格落至甜蜜點,帶動創見(2451)、威剛(3260)、宇瞻(8271)等模組廠SSD出貨持續創下新高,集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新研究報告顯示,2015年的筆記型電腦SSD滲透率將突破30%大關,更可望在2017年超越50%。
集邦科技指出,隨著NANDFlash製程往下演進至15/16奈米及3D-NANDFlash,SSD價格滑落的速度也逐步加快,第2季度128GB消費型固態硬碟(Client-SSD)的OEM合約均價已下探至50美元,256GB也接近90美元的水準,預期第3季隨著3D-NANDFlash出貨比重開始攀升,筆記型電腦SSD滲透率攀升速度將加快。
集邦預估,去年筆記型電腦SSD滲透率21%,今年將突破30%大關,更可望在2017年來到56%,等於是屆時每2台筆電就有1台是搭載SSD。
集邦研究協理楊文得表示,今年ClientSSD市場產品OEM合約價格下滑的速度,將因TLC架構的SSD逐漸興起而加快。其中,領導廠商三星憑藉自有開發的控制晶片技術及TLC晶片,在市場上推廣態度積極,去年開始以較佳的性價比,在各大主要OEM廠商中的市占率快速攀升。
此外,三星TLC規格3D-NANDFlash的SSD在上半年均完成產品認證測試的流程,自第2季起量產出貨,隨著今年下半年英特爾新處理器平台Skylake上市,出貨量將快速增長,此舉也迫使其他SSD廠商加速開發TLC規格SSD的產品,並加快15/16奈米製程的微縮速度。
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近期標準記憶體市況仍受庫存調整拖累,但行動記憶體價格相對抗跌,是相關記憶體廠商的重要業績來源。台廠當中包括南亞科(2408)、華邦電等,在行動記憶體領域都有著墨,可成為穩定的支撐力道。
研調機構集邦科技研究協理吳雅婷表示,預計上半年行動記憶體價格呈現穩定小跌的趨勢,隨著LPDDR4導入市場,新舊產品交替,將衍生出更多商機。
集邦昨(25)日公布調查資料顯示,今年第1季全球行動記憶體營收達35.76億美元(約新台幣1,093.24億元),季減不到1%,占DRAM總產值比重為29.8%,目前行動記憶體占整體DRAM供應已接近四成。<摘錄經濟>
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外電報導,在紐約交易所掛牌的全球太陽能模組龍頭中國英利向紐約交易所提出的報告中坦言,對於能否持續經營有所存疑。英利與台灣太陽能廠有業務往來,業界憂心英利財務告急,恐導致台廠面臨倒帳問題。
台灣太陽能廠昨(19)日表示,若與大陸廠交易,都會收到銀行信用狀後才出貨,以控管風險。
研調機構集邦科技統計,去年第4季英利的太陽能模組產能達4GW(10億瓦),全球產能市占率第一、達6.2%;排名第二的天合光能產能市占率5.9%;第三是晶科、市占5%。
太陽能市場競爭激烈,價格持續滑落,外電報導,英利從2011年第2季後陷入虧損,至去年底的短期負債已達16億美元(約新台幣480億元),長期負債4.6億美元(約新台幣138億元)。
英利去年營收20.83億美元(約新台幣624億元),毛利率17.3%,全年淨損約2.09億美元(約新台幣62億元)。去年英利模組出貨量達3.36GW。
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市場雖滿懷希望期盼太陽能產業從第二季開始走出谷底,但根據研調機構統計,近一週以來的太陽能報價,從多晶矽、矽晶圓、電池片到模組都是小幅下跌,儘管幅度不大,但趨勢明顯尚未改變。但如此一來,整個太陽能族群第二季的營運恐怕仍相當辛苦。
此外,率先發佈第1季財報的茂迪(6244),單季虧損逼近去年第4季,也讓市場擔憂接下來陸續公布的財報效應,這也導致台股昨(23)日大漲近200點、創下7年來新高之際,太陽能族群卻一片黑暗,僅有碩禾、國碩和中美晶因個別題材而守在盤上,其餘茂迪、昱晶跌幅都在2%以上,線型持續破底。
根據集邦科技旗下的EnergyTrend調查,從4月15日至21日,太陽能產業鏈從多晶矽、矽晶圓、電池片到模組的價格,均呈現小跌。其中,最上游的多晶矽跌幅為1.2%、現貨價每公斤16.4美元,而此一價格已經與2008年太陽能產業第一次崩盤時差異不大。
多晶矽跌跌不休,連帶整體產業鏈報價都下挫,多晶矽晶圓跌幅約0.59%、報價為每片0.843美元,單晶矽晶圓同步走弱,跌幅0.48%、降至每片1.04美元。
EnergyTrend表示,由於整體需求尚未回升,高效多晶電池持續走弱,跌幅為0.33%,每瓦0.304美元。以兩岸報價來看,台灣多晶電池價格來到每瓦0.293美元,中國則落在每瓦0.29美元。
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市調機構集邦科技表示,2015年行動式記憶體(MobileDRAM)價格走勢趨於穩定,目前MobileDRAM占整體DRAM供應逾4成以上,與伺服器DRAM在今年扮演了穩定價格走勢的關鍵因素。至於未來DRAM供應商獲利是否能夠持續成長,將大幅取決於LPDDR4的出貨比例,搶占產品生命週期初期溢價商機。
集邦科技最新調查顯示,2015年第1季起智慧型手機出貨積弱不振,季衰退幅度高達9.2%。儘管第2季展望國際大廠蘋果與三星出貨相對穩健,然而智慧型手機在中國通路的庫存水位仍高,在第2季度將持續庫存去化的情況下,較難看到大幅的出貨成長。第2季全球智慧型手機預估季成長6.8%,中國地區部分為14.8%,遠低於過往兩年動輒25%以上的季成長。
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,今年預定發表的新iPhone搭載DRAM容量,將從1GBLPDDR3提升至2GBLPDDR4,使得其他高階智慧型手機跟進,大舉調升單機記憶體搭載容量。目前包含三星GalaxyS6搭載3GBLPDDR4、LGG4搭載3GBLPDDR4、中國品牌廠包含小米Note高配版及聯想VibeZ3Pro同樣是4GBLPDDR4。
在這一波高規格戰的推波助瀾下,部分高階智慧型手機消耗DRAM的量等同於一台筆記型電腦的4GBPCDRAM,將能有效消化目前略為供過於求的多餘產能。
不論何種DRAM產品類別,當新一代產品加入供貨鍊中,一定會產生溢價的情況,反映產品生產初期成本較高的事實,而第2季正是最新一代行動式記憶體LPDDR4加入市場的時間點。上述的高階旗艦機種中,三星的Exynos與Qualcomm的S810平台,基本上都採用LPDDR4的記憶體解決方案,因此與LPDDR3相較,同樣容量溢價約在30~35%區間,大幅的提升了整體MobileDRAM價格走勢穩定度。<摘錄工商>
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集邦出具最新報告指出,下一代行動記憶體低功耗的LPDDR4 DRAM已切入高階智慧型手機,但LPDDR2及/LPDDR3因處於新舊交替,複雜度增高,第2季僅小跌開出,目前LPDDR2僅南亞科(2408)能大量供貨,不排除第3季在需求轉強下帶動價格上揚。
集邦指出,第2季蘋果與三星出貨相對穩健,但因中國大陸通路庫存水位高,在通路商持續去化庫存下,預期第2季全球智慧機季增6.8%,大陸地區(含大陸品牌外銷國外)為14.8%。<摘錄經濟>
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DRAM大廠推升製程造成部分產能產出受影響的效應逐步發酵,由於市場供給量降低,帶動DRAM價格止跌,集邦科技統計近四日主流DDR3 4Gb力守3美元整數關卡,蓄勢反彈,有助南亞科(2408)、華亞科營運。
由於市場供給縮減、報價止跌,美國記憶體晶片指標廠美光上周五(17日)股價不畏美股重挫279點,上演逆轉行情,尾盤逆勢收紅,以28.02美元作收,小漲0.01元,持續站穩各均線,透露市場資金回流。
國際投資機構陸續對DRAM市況翻多,美國知名財經網站巴隆(Barron`s.com)近日則引述摩根大通研究報告,強調各DRAM廠製程轉換,將導致產能減損,預估今年整體DRAM總產能仍會下降,似乎在一片唱衰DRAM聲浪中,率先翻多。<摘錄經濟>
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