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　　DRAM 4月上旬合約價再漲逾2%，台系DRAM廠南科（2408）及華亞科本月獲利更加確定；相關模組廠業績同步看俏。
　　根據集邦科技旗下研究部門最新統計，DRAM合約價經歷3月大漲近20%後，仍未改善供需失衡情況，合約價與現貨價仍有逾0.4美元的價差。<擷錄經濟>

　　根據集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示，由於NAND Fl ash原廠持續將產能移往64Gb與128Gb等高容量顆粒，以滿足OEM客戶的eMMC與固態硬碟(SSD)需求，使得32Gb舊製程低容量的供給量持續下探，因此3月下旬NAND Flash合約價當中，高容量合約價持平， 32Gb以下容量則出現6～7％漲幅。
　　模組廠對第2季NAND晶片價格看法仍正面，由於高階晶片已被OEM廠包下，低容量供應愈來愈少，所以業界認為，32Gb NAND MLC缺貨持續擴大，TLC晶片更是供不應求，將導致記憶卡及隨身碟供應量降低，價格也將持續走高。法人則看好威剛(3260)、創見(2451)、勁永(6145)、群聯(8299)等擁有低價貨源的模組廠，本季營收及獲利將同步受惠。
　　集邦科技指出，第2季64Gb與128Gb等高容量的MLC顆粒出海口，仍以OEM廠的eMMC及SSD應用為主，由於大部分新款智慧型手機、平板電腦、Ultrabook將落在6月份上市，拉貨放量的時間點將落在第3季，因此第2季將無可避免地將面臨淡季效應的影響，高容量NAND Flash 合約價也將轉為較為疲軟的格局。
　　反觀16Gb與32Gb等低容量顆粒的供給面分析上，NAND Flash原廠在最先進的20奈米等級製程上，最低容量顆粒多數自64Gb起跳，32Gb以下的產出比重已降至非常低的水準。也因此，32Gb以下容量NAND晶片價格持續看漲，業內推估價格仍有20～30％的調漲空間。
　　事實上，目前市面上16Gb與32Gb的顆粒大部分是屬於上個世代的2 5奈米等級製程，而這些產品大多數已進入產品的尾聲，產出比重已經非常低，因此即便需求增加的幅度不明顯，但在供貨量下降速度更快的影響下，舊製程小容量的16Gb與32Gb價格將相對有撐。

　　DRAM 3月下旬合約價小漲2.17%，但全球市場研究機構集邦科技TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查，隨著進入科技業旺季，價格還有近三成的上漲空間，南科（2408）、華亞科及模組廠都將受惠。
　　DRAM大廠華亞科在公布3月轉盈，昨（2）日股價開高後，卻不敵短多獲利拔檔賣壓，最後跌停鎖死，收8.39元，收復票面功敗垂成，單日波動幅度高達11%。
　　儘管如此，DRAM漲勢仍是一波接著一波。集邦調查，繼3月上旬DRAM合約價大漲逾16%後，3月下旬合約價漲幅雖縮小至2.17%，DDR3 4GB模組合約均價來到23.5美元，DDR3 2GB 也上漲約1.82%，站上14美元價位。
　　集邦表示，由於三星Galaxy S4需求遠超過預期，三星已加速提升行動式記憶體的產出量，勢必讓標準型記憶體產出缺口更為擴大。
　　集邦預估4月DRAM合約價格仍然看漲，加上市場標準型庫存存水位偏低，更將加劇價格漲勢。<擷錄經濟>

　　由於上游DRAM廠持續減少標準型DRAM產出，但ODM/OEM廠手中庫存不足，3月下旬合約價續漲約2％，第2季進入PC零組件拉貨旺季後， 4GB DDR3模組將上看30美元，仍有25～30％的調漲空間。
　　法人看好模組廠第2季營運成績，包括威剛(3260)、勁永(6145 )、創見(2451)、品安(8088)等均將持續受惠。
　　根據集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，3月下旬DRAM合約價呈現小幅上漲的格局走勢，4GB DDR3模組合約價上升到23.5美元，較上旬調漲2.2％，2GB DDR3模組合約價漲1.8％達14美元。
　　集邦指出，由於3月上旬合約價格大漲已逾20％，加上主力客戶的大訂單已在上旬議定完成，3月下旬無論是在客戶規模與採購規模方面皆屬少量，價格議定上是延續上旬價格走勢並微幅上漲。至於第2 季，以供需情況來看，價格持續看漲。
　　從供給端來觀察，由於三星新機皇Galaxy S4需求超過預期，三星已加速提升Mobile DRAM的產出量，此舉勢必讓標準型DRAM的產出缺口更為擴大。此外，蘋果今年極可能推出不只一款的新手機，同屬供應鍊的DRAM廠已有擴大生產Mobile DRAM的動作出現，加上台灣327地震影響，部份靠近震央的DRAM廠有部份設備受損，可能影響其產出量，讓供貨吃緊的狀況雪上加霜。

　　記憶體3月上旬合約價同步大漲，DRAM模組合約價大漲15～23％， NAND快閃記憶體晶片亦大漲1成，其中嚴重缺貨的TLC晶片漲幅更高達 57～58％。
　　由於DRAM及NAND現貨市場價格高於合約價約3成，擁有自有品牌的模組廠威剛(3260)、創見(2451)、宇瞻(8271)等受惠最大，其中穩坐全球第2大模組廠的威剛更是獲利大進補。
　　今年以來DRAM及NAND價格持續調漲，除了市場需求轉強外，最大原因仍在於上游DRAM及NAND晶片廠無法開出足夠產能，導致市場供不應求。會導致如此情況，導因於過去2年當中DRAM及NAND廠並無興建新的生產線，而今年就算擴大資本支出，新生產線產能也要等到今年第 4季後才會開出。
　　以DRAM來說，今年首季電腦銷售成績不佳，需求主要來自於採用標準型DRAM的大陸白牌平板，推升現貨價一路拉高，而3月因進入ODM/ OEM廠的備貨旺季，在市場供給量不足下，ODM/OEM廠拉高採購價格區間，因此推升3月下旬DRAM合約價大漲。
　　根據集邦調查，DRAM合約價自去年11月落底後一路走高，4GB DDR 3模組價格由15.25美元漲到3月上旬的23美元，3個月內漲幅已超過5 0％，2GB DDR3模組漲幅更高達60％。由於上游DRAM晶片廠大多數產能仍移轉生產Mobile DRAM，短期間內看不到標準型DRAM產出放大，業界評估4GB DDR3模組價格在未來2個月內將上看28美元，價格仍有 2成以上漲價空間。

　　受到主要大廠持續減少供貨影響，3月上旬儲存型快閃記憶體（NAND Flash）合約價上漲逾一成，第2季因貨源更缺，價格持續看漲，NAND晶片族群如創見（2451）、群聯、宇瞻等將受惠。
　　集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange昨（19）日發布最新調查，受到NAND Flash原廠包括三星、SK海力士、東芝及新帝等對通路客戶持續緊縮供貨，3月上旬NAND Flash合約價也追隨DRAM 腳步，價格上揚，特別是低容量MLC與TLC部分，漲幅逾一成。<擷錄經濟>

　　DRAM現貨3月飆漲，3月上旬合約價同步攀高，3月上旬合約價漲幅逾二成，創下去年11月底以來單月最大漲幅，國內DRAM大廠南科（2408）、華亞科轉盈指日可待；創見、威剛、品安等模組廠也同樣樂透。
　　集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示，截至3月12日，DRAM現貨價格受到中國白牌平板電腦強勁補貨DDR3 2Gb顆粒報價由初年的1.05美元，漲至1.75美元，漲幅達66%，漲勢為近年來最強勁。
　　集邦指出，大陸白牌平板電腦挾低價快速放量出貨，這些產品捨棄單價較高的行動式記憶體，絕大多數搭載標準型DRAM ，成為PC出貨淡季中，推升標準型DRAM漲勢的的主要推手。
　　受到DRAM現貨價格飆漲，3月上旬DRAM合約價格漲幅超乎預期，主流產品DDR3 4GB模組均價站上23美元，和上次報價相比，上漲約16.46%。<擷錄經濟>

　　市調機構顧能（Gartner）發布最新DRAM調查，首季DRAM供需在睽違10季後首度達供需平衡；預料第2季因需求增幅超過供應商微縮腳步，將首見供不應求局面，估計缺口將達6,000萬顆，缺口幅度1.3%，下半年缺貨會更嚴重。
　　顧能報告指出，首季雖是PC淡季，但因DRAM大廠南韓三星、SK海力士及美光等，持續減產且未再擴增新產能，加上智慧型手機、平板電腦、智慧型電視及伺服器等雲端應用產品搭載DRAM容量持續擴大，抵銷PC銷售走弱，進而推升標準型DRAM年初以來價格飆漲。
　　顧能調查顯示，首季DRAM 供需平衡，加上DRAM在其他領域應用大幅增加，抵銷PC對DRAM需求降低，是DRAM在淡季不跌反漲主要關鍵。
　　集邦科技昨（19）日也發布調查，直指中國大陸白牌平牌捨行動式記憶體而幾乎都搭載標準型DRAM，是這波DRAM現貨飆漲的最大推手。
　　業者表示，從近三到四年科技產品搭載的DRAM容量來看，PC銷售雖年年下滑，今年也是呈現跌勢。但雲端產業快速崛起的智慧型手機，搭載DRAM的容量，從原本的每支128Mb 到512Mb，擴增至近期的512MB到1GB，等於容量即暴增至少八倍以上。<擷錄經濟>