未上市股票~曾惠敏の部落格~0921643818~

　　英飛凌科技推出32位元微處理器多核心架構，此新架構是英飛凌下一代MCU系列產品的基礎，能夠滿足將來汽車動力系統及安全應用的需求，多核心架構搭載多達3個核心處理器以分擔應用程式負載，並採用Lockstep核心，內含更進階的硬體安全機制，此架構的首樣實作品，已經可供特定客戶進行架構探索及初期原型建構。
　　全新多核心架構以英飛凌現有的TriCore處理器為基礎，為汽車應用的即時效能樹立另一個標竿，內含多達3個TriCore核心處理器，並使用以全速CPU速度執行且不會與硬體衝突的交叉開關(crossbar)加以連結。此外，本架構搭載具獨立讀取介面的多重程式快閃記憶體模組，可達一步支援即時功能。
　　此架構還包括其他創新，如可卸載CPU負擔、全新易用且功能強大的計時器模組，以及新型類比／數位轉換器，包含具高準確度及高取樣率的DeltaSigma轉換器，為了平衡在滿足低耗電又要增加效能的需求下，產生出65nm嵌入式快閃記憶體矽晶製程技術及微處理器架構，其附加的低功率模式則用於支援極低的待命電流消耗。
　　英飛凌的多核心架構提供先進的方法，可有效符合新導入的ISO 26262汽車安全標準，本架構設計、建置及文件管理皆以遵循最高汽車安全完整性等級(Automotive Safety Integrity Level；ASIL D)為依歸，可確實將安全系統的開發減少至最低限度。3個TriCore CPU中，有2個搭載額外的Lockstep核心，可獨立進行組態，並具備4MB嵌入式快閃記憶體。其他採用的安全技術還包括：安全內部通訊匯流排、匯流排監控單元(Bus Monitoring Unit)，以及所有記憶體皆內含錯誤偵測碼(EDC)和錯誤更正碼(ECC)。
　　分散式記憶體保護系統是在核心等級、匯流排等級和週邊裝置等級上運作，這些先進的封裝(encapsulation)技術能夠整合不同來源的混合關鍵等級軟體，可在統一的平台上順利掌管多個應用程式和作業系統。

英飛凌科技宣布推出採用TO無鉛封裝的汽車電源MOSFET系列產品，新型40V OptiMOS T2 MOSFET結合創新的封裝技術及英飛凌的薄晶圓製程技術，擁有同級產品最佳規格。英飛凌採用擴散焊接黏晶技術所生產的無鉛封裝包括TO-220、TO-262及TO-263。由於封裝幾何方面對於晶粒焊墊厚度與晶片尺寸的特殊要求，現今擴散焊接黏晶技術僅適用於上述3種英飛凌所提供的封裝形式，OptiMOS T2 系列產品的量產已準備就緒。英飛凌的MOSFET新系列產品超越了現行歐盟RoHS對於含鉛銲錫封裝的規範，更嚴格的ELV RoHS標準可能將於2014年施行，屆時將要求採用完全無鉛的封裝方式，作為業界首款無鉛封裝MOSFET，英飛凌的新產品讓客戶滿足更嚴格的要求。
英飛凌推出採標準　TO　無鉛封裝的汽車電源　MOSFET。英飛凌汽車電子事業處標準電源產品副總裁暨總經理Frank Schwertlein表示：「英飛凌在功率半導體和相關封裝技術方面皆為業界之首。而今，英飛凌再度成為全球率先推出無鉛封裝之晶片供應商，提供汽車產業客戶因應未來，符合RoHS且環保之MOSFET，協助客戶開發節能的『綠色』產品。」
英飛凌專利的無鉛黏晶(die attach)技術採用擴散焊接，可提升電性與散熱表現、可製造性以及品質，此黏晶技術搭配英飛凌的薄晶圓製程(60μm，標準為 175μm)，為功率半導體提供多項改良：舉凡環保的技術，不使用鉛及其他有毒物質。擴散焊接黏晶技術結合薄晶圓製程：大幅降低封裝的導通電阻值RDS(on)。熱阻 (RthJC)改善率高達40- 50%：傳統軟鉛焊料的熱傳導能力不佳，阻礙了MOSFET 接面之散熱。其他優點還包括：由於沒有焊錫流跡(Bleed-out)及晶片傾斜 (Chip tiltness)的問題，以及更收斂的RDS(on)與RthJC分布，提供了更佳的可製造性。降低產品內的機電應力，也提升了產品可靠性和品質。
從新款OptiMOS T2 40V(如：IPB160N04S4-02D，160A)的規格得知，其RDS(on)僅 2.0m?且RthJC僅0.9K/W。相較於使用標準鉛焊接的同類產品，其導通電阻降低了約20%。此外，英飛凌專利的擴散焊接技術可減少「晶片至導線架」的熱阻抗，讓新型OptiMOS T2產品擁有同級產品中最佳效能。<擷錄電子>