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　　NB與PC市場不振，DRAM類股成重災區，研調機構集邦科技昨（27）日表示，微軟Windows 10作業系統對硬體規格要求沒有太多提升，相關換機潮將減弱，且為規避Win 10授權金，有廠商考慮在低價機種使用2GB記憶體，將導致今年NB記憶體搭載容量下修，對產業是雪上加霜。
　　DRAM族群華亞科（3474）、南亞科、鈺創、晶豪科與力積昨面對大盤重挫，紛紛中槍倒地，收跌停。<摘錄經濟>

DRAM狂殺南亞科華亞科受重傷報價跌勢未見底，廠商Q2獲利估季減2成，下半年也不太妙
　　個人電腦及智慧型手機市場仍在去化過多庫存，但包括三星、SK海力士、美光等三大廠的20奈米DRAM，卻已開始進入全面量產投片階段。由於20奈米可切割的裸晶(grossdie)數量較30奈米大增80～100％，DRAM市場供給過剩問題已日趨惡化，不僅價格續跌看不見底，也直接衝擊DRAM廠導致獲利大縮水。
　　法人指出，DRAM市場供給過剩，標準型及利基型DRAM價格同樣跌跌不休，預估南亞科(2408)、華亞科(3474)、華邦電(2344)等DRAM廠第2季獲利恐將較第1季縮水2成左右。以第3季DRAM價格續創新低的情況來看，DRAM廠獲利恐將較第2季再縮水3成以上，第4季還會更低。
　　今年上半年PC市場需求疲弱，雖然上游DRAM廠沒有增加任何新產能，還因為進行20奈米微縮，導致產能出現自然減損，但DRAM市場仍處於供給過剩情況，DRAM現貨價及合約價同步走跌。7月以來PC市場需求毫無起色，加上OEM廠及模組廠手中庫存已拉高到2～3個月新高，上游20奈米DRAM新產能持續開出，DRAM價格不僅看不到止跌跡象，跌勢還有擴大跡象。
　　根據集邦科技報價，4GbDDR3今年初現貨均價約3.7美元，6月底跌到2.6美元，7月至今已跌到2.4美元，等於今年內價格跌幅達35％。合約價部份，今年初約3.6美元，至6月底已跌至2.7美元，7月合約價雖然仍在協商，但OEM廠手中庫存水位過高，模組廠預估將一舉跌破2.5美元價位。

　　2015年無晶圓廠(Fabless)IC設計產業表現受到智慧型手機、平板電腦、個人電腦等產品出貨不如預期影響，表現欠佳，但市場寄望隨著下半年的旺季來臨，此情況將有所改善。若不計阿爾特拉(Altera)併入英特爾後造成的產值減損，集邦科技旗下拓墣產業研究所預估，今年全球IC設計產業年增率約3.8％，產值913億美元左右。
　　拓墣半導體分析師陳穎書表示，相較於全球IC設計業，2015年台灣IC設計產業成長力道雖不如2014年，但由於基本面健康，成長力道得以維持，預計總產值年成長約達4.8％，優於全球的平均成長率。
　　中國IC設計產業則受惠於政府政策支持、技術層次提升與擁有廣大的內需市場，預計2015年總產值成長幅度將超過15％。其中，展訊併入紫光集團後，再加上英特爾的入股，技術和資金實力大增；而華為集團旗下海思將推出以16奈米製程的Kirin950，性能亦具競爭力。
　　2015年上半年佔IC設計產業總產值超過25％的行動應用處理器，競爭仍十分激烈，晶片廠皆有4G新產品問世。陳穎書表示，雖然削價情形嚴重，但由於市場廣大，各廠家仍在降價同時不斷追逐最先進製程技術、開發更高效能的架構。
　　另方面，物聯網第一波浪潮穿戴式裝置也在2015年遍地開花。微控制器、通訊晶片等晶片成長迅速。在通訊晶片方面，將其整合至其他晶片中成為異質系統單晶片為一趨勢，市場可見到愈來愈普及的WiFi模組與MCU整合晶片與藍牙模組整合晶片等。<摘錄工商>

　　受到筆記型電腦的出貨疲軟影響，標準型記憶體受到庫存去化不易影響，第3季的合約價格持續下探、尚未見到止跌訊號。不過，研調單位預估，伺服器用記憶體將受惠於白牌伺服器出貨暢旺，產品報價的跌勢可望在本季出現收歛。
　　研調機構集邦科技(TrendForce)旗下DRAMeXchange表示，全球經濟局勢不確定因素影響，DRAM市場上半年呈現供過於求狀況，進入第3季又面臨筆記型電腦的出貨疲軟、使得標準型記憶體產能去化不易，導致合約價格不斷下探。
　　至於伺服器記憶體方面，在第2季面臨伺服器業者期待DDR4跌價的預期心理影響，需求受到壓抑，也因此伺服器用的DDR3與DDR4的價差，從年初的30％，縮短至第2季底的10％。
　　進入第3季，由於Google、Facebook、Amazon及Microsoft等大型資料中心需求強勁、加計新世代產品DDR4良率提升，推升DDR4與DDR3的價差已有效縮短，預料伺服器記憶體的價格跌勢已領先標準型記憶體，開始出現收歛。
　　DRAMeXchange調查，DDR3R-DIMM平均價格今年以來跌幅達7～9％，DDR4R-DIMM近半年跌價幅度則接近20％，伺服器用DDR3與DDR4價差從年初的30％，縮小至第2季底的10％左右。

　　市調機構集邦科技表示，中國工信部電子信息司司長丁文武主導的半導體小組，屬意晶圓代工廠武漢新芯成為中國發展記憶體產業的首要重點區域。業界人士指出，武漢新芯與合作夥伴賽普拉斯(Cypress)已成功完成9層堆疊的3DNAND試產，雖然有意進軍DRAM市場，但因缺乏產品及製程專利，能否說服三大廠進行技轉將是重要關鍵。
　　集邦表示，中國工信部宣布國家積體電路產業投資基金(大基金)去年成立後，進軍DRAM領域成為中國半導體計畫的第一步。期間經過中國六大地方政府競逐DRAM生產基地，各地方政府也努力的尋找技術、人力、財力及資源，希望躋身為中國半導體領域的重要省分。經過激烈的競爭後，武漢新芯可望出線。
　　集邦指出，中國工信部電子信息司司長丁文武主導的半導體小組屬意武漢新芯成為中國大陸記憶體產業發展計畫的首要重點區域，未來可能由趙海軍領軍並以武漢新芯做為增資平台。除了大基金外，中芯國際、湖北省科技投資集團、湖北基金、華芯投資等都會投資，遠期計畫要募集到240億美元的規模，長期產能目標要建立每月30萬片龐大規模，正式展開中國大陸DRAM產業發展的計畫。
　　武漢新芯2008年12吋晶圓廠正式完工並開始投片，原為中芯國際旗下的一座工廠，後來2013年中芯國際退出營運，武漢新芯正式獨立成單一公司，由武漢市政府負責，現任執行長為前中芯營運長楊士寧。
　　武漢新芯目前有一座12吋晶圓廠運作中，主要是取得飛索半導體(Spansion)的NORFlash及NANDFlash技轉並為其代工，是大陸主要CMOS影像感測器代工廠。而Cypress今年3月正式併購Spansion後，武漢新芯也與Cypress擴大合作內容，為其代工NORFlash及NANDFlash，並且投入3DNAND的技術研發。